清洗液
清洗液是芯片制造过程中用于清除晶圆表面污染物的一系列关键化学试剂，其纯度、性能和稳定性直接决定了半导体器件的成品率和可靠性。
- • ≥0.13m铝线清洗工艺（后段）
- • MEMS 深硅刻蚀清洗工艺应用
- • 6/8/12吋工艺
- • 配套设备：Wet Bench或Spray Spin Tool
- • 高纯原材料搭配更科学的过滤技术，保障化学品纯度和洁净度。
- • 采用先进配方技术，确保polymer在清洗中彻底溶解与清除，实现无残留，避免对后续制程产生不良影响。
- • 有效抑制电化学腐蚀，保持互连线的完整性，提高芯片良率和可靠性。
- • 稳定可靠测使用寿命，搭配密封槽体实现更长清洗寿命，节约成本。
- • 14-28nm铜互连大马士革清洗工艺
- • 40-130nm铜互连大马士革清洗工艺
- • 12吋工艺
- • 配套设备：Single Wafer
- • 具备优异的材料兼容性，对Cu、Low-K、Oxide等多种材料攻击性低，提供稳定且高效的清洗处理能力。
- • 金属离子含量极低，有效避免了工艺过程中的金属污染问题，确保晶圆表面的高纯度和器件性能的稳定性。
- • 清洗后表面洁净，无任何polymer或residue遗留，显著减少后续工艺缺陷，保障半导体制造的高质量标准。
- • 对各类膜层的腐蚀性极小，能够在彻底清洗的同时保护晶圆结构的完整性和功能性，延长器件使用寿命。
- • 用于MEMS氧化钒工艺及化合物半导体光刻胶清洗过程
- • 6/8吋工艺
- • 配套设备：Wet Bench 或Single Wafer
- • 兼容多种材料，包括铝铜合金（Al/Cu）、铝硅合金（Al/Si）、钛（Ti）、氧化物（Oxide）、氮化硅（SiN）、聚酰亚胺（PI）、钒氧化物（Vox）、镍（Ni）等，可广泛应用于不同工艺需求及材料组合的场景。
- • 光刻胶及底部抗反射涂层（barc）能够被彻底清除，无任何化学残留，确保后续工艺步骤的洁净度与表面质量，避免对器件性能产生不良影响。
- • 在处理过程中对各类功能膜层的腐蚀程度极低，能够有效保护晶圆结构的完整性与电学特性，提高产品良率和可靠性。
- • 具有优异的使用寿命和稳定的工艺性能，可在长时间连续工作状态下维持高效的工艺表现。
- • 光刻胶及barc无残留
- • 膜层腐蚀小
- • 使用寿命长
- • 14-40nm铜互连大马士革CMP后清洗工艺
- • 12吋工艺
- • 配套设备：AMAT和EBARA
- • 兼容Co，Cu，Low-k，Oxide等材料，对金属腐蚀抑制显著，对Low-k与Oxide刻蚀率极低。
- • 具备优异润湿性与清洗效能，可高效去除污染物。
- • 较优的选择性，较低的Cu腐蚀性，能针对性的攻击和去除污染物，同时保留极低腐蚀率。
- • 较强的Cu包裹表面保护性，延长Q-time，长效防腐蚀与抗氧化，显著延长晶圆的存放时间。
- • 较宽的工艺窗口，清洗液对工艺参数的变化不敏感，使用宽容度高。
