铜互连是现代芯片的“神经网络”。它如同微观世界的导线,负责在数十亿晶体管间传输电信号,是信息流通的命脉。其优异的导电性和低功耗特性,是芯片实现高速度、高性能与小尺寸的关键。
了解更多清洗液是芯片制造过程中用于清除晶圆表面污染物的一系列关键化学试剂,其纯度、性能和稳定性直接决定了半导体器件的成品率和可靠性。
了解更多蚀刻液是芯片湿蚀刻工艺中的关键材料,以氢氟酸、硝酸等为主要成分,通过氧化还原反应实现精密蚀刻,广泛应用于芯片制造。
了解更多光刻胶是光刻工艺的核心感光材料,通过涂布、曝光与显影,将掩模版上的电路设计精准定义在晶圆表面,形成可供后续蚀刻或离子植入的图形屏障。
了解更多化学机械抛光(CMP)是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。集成电路元件普遍采用多层立体布线,前道制造 工艺环节要进行多次循环。在此过程中,CMP是实现晶圆表面平坦化的关键工艺,推进制程技术节点升级的重要环节。
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引线框架电镀和清洗设备是传统封装流程的核心设备,通过软化、剥离工艺去除框架表面油污、氧化层等污染物,以高效电镀工艺在引线框架表面制备均匀金属镀层,兼顾生产效率与镀层质量,助力优化器件导电、焊接等关键性能;先进封装晶圆湿法制程设备,与湿法电子级化学品配合使用,对晶圆等产品进行去胶、显影、蚀刻、清洗、电镀、化学镀等处理的核心装备;与湿法工艺相结合,各工艺槽体和各工段模块化设计,各种模块应用于Bump(凸块)工艺、 TSV(硅通孔)工艺、RDL(重布线层)工艺。
了解更多划片刀是实现晶圆精密切割、形成独立芯片单元的核心工具。针对不同材质与工艺的芯片,需精准匹配不同规格的划片刀,以确保切割质量与芯片良率。
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